使用IFR540功率MOS管做开关的时候，出现两个问题：
1 在接栅驱动电压（3.3v)和漏源电压(12v)后，IRF540导通，测漏源两极的电压有4V，但是IRF540的导通电阻只有44毫欧姆，电流为1A时也没有这么大啊？
2 在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的，还随着漏源电压的增大，负载的电压也增大，且栅源间的电压也增大。
在IRF540的栅源两极我并联了一个10欧姆的电阻，且还在栅极接了一个47欧姆的电阻，IRF540有电荷也应该可以流走啊？不知道是不是IFR540被击穿了？大家一般是怎样焊接功率MOS管的啊？烙铁没有接地可以吗？
另外，为了防止静电，是不是一定要在功率MOS管的栅源间接一个栅保护二极管？如果要接的话，是不是要选择快关断的二极管呢？谢谢！
答 1:
栅电压3.3V不够，充分导通应更高一些如果GS间接了电阻，DS之间电阻不是非常大，则管子已坏。
答 2:
关键问题是在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的 to maychang:
谢谢！栅源两极我并联了一个10K欧姆的电阻，在DS间测得电阻为150欧姆，MOS管应该好着吧。
另外，你说栅电压3.3V不够，充分导通应更高一些，这个我可以调节其栅电压的。关键问题是在没有接栅驱动电压的时候，IRF540也是导通的，还随着漏源电压的增大，负载的电压也增大，且栅源间的电压也增大。这个现象不明白啊。
答 3:
你用万用表测二极管的那档测G，D，S任意两个，只要响就是MOS坏了
答 4:
绝缘栅极场效应管的栅极有保留电贺的能力如果栅极带了电贺（管子极性不同，作用电贺极性也随之不同）而不释放，则场效应管可能继续导通。
判断绝缘栅极场效应管好：
1.短路G-S极，测D、S漏电电流应为关断状态。
2.给G-S极电容充电电压5-15V（具体情况具体分析）,场效应管应导通。其G-S漏电电流应符合相应静态参数。
3.重复1，结果应同1。此可认为绝缘栅极场效应管为好管。
测量过程注意防止高压静电损坏绝缘栅极场效应管。
以上纯属个人观点。如有错误请纠正之。
答 5:
好！
答 6:
漏极和源极电压有没有接反？
*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。
发布文章
