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MOS管被静电击穿的几个原因
songzhige | 2012-07-26 11:34:59    阅读:1839   发布文章

我们在实际电子产品设计调试过程中,经常会有这样的疑问,MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?

 其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
静电击穿有两种方式;
一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;
二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。

 现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试,基本上摸一个挂一个。

与干燥的北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。

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